| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
HS54097 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Renesas Technology Corp |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
HS54097 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Renesas Technology Corp |
|
1 / 4 page ![]() REJ03G1669-0100 Rev.1.00 Apr 24, 2008 Page 1 of 3 HS54097 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1669-0100 Rev.1.00 Apr 24, 2008 Features • Low on-resistance • Low drive current • High density mounting Outline RENESAS Package code: PRSS0003DA-A (Package name: TO-92(1)) 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 2 1 D S G Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Symbol Ratings Unit Drain to source voltage VDSS 600 V Gate to source voltage VGSS ±30 V Drain current ID 0.15 A Drain peak current ID (pulse) Note1 0.6 A Body-drain diode reverse drain current IDR 0.15 A Body-drain diode reverse drain peak current IDR (pulse) Note1 0.6 A Channel dissipation Pch 0.75 W Channel to ambient thermal impedance θch-a 166.7 °C/W Channel temperature Tch 150 °C Storage temperature Tstg –55 to +150 °C Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1% |
Số phần tương tự - HS54097 |
|
Mô tả tương tự - HS54097 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |