| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
33290 bảng dữ liệu(PDF) 7 Page - Freescale Semiconductor, Inc |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
33290 bảng dữ liệu(HTML) 7 Page - Freescale Semiconductor, Inc |
|
7 / 12 page ![]() Analog Integrated Circuit Device Data Freescale Semiconductor 7 33290 ELECTRICAL CHARACTERISTICS DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS Table 4. Dynamic Electrical Characteristics Characteristics noted under conditions of 4.75 V ≤ VDD ≤ 5.25 V, 8.0 V ≤ VBB ≤ 18 V, -40°C ≤ TC ≤ 125°C, unless otherwise noted. Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Fall Time (19) RISO = 510 Ω to VBB, CISO = 10 nF to Ground tfall(ISO) – – 2.0 µs ISO Propagation Delay (20) High to Low: RISO = 510 Ω, CISO = 500 pF (21) Low to High: RISO = 510 Ω, CISO = 500 pF (22) tPD(ISO) – – – – 2.0 2.0 µs Notes 19. Time required ISO voltage to transition from 0.8 VBB to 0.2 VBB. 20. Changes in the value of CISO affect the rise and fall time but have minimal effect on Propagation Delay. 21. Step TX voltage from 0.2 VDD to 0.8 VDD. Time measured from VIH(ISO) until VISO reaches 0.3 VBB. 22. Step TX voltage from 0.8 VDD to 0.2 VDD. Time measured from VIL(ISO) until VISO reaches 0.7 VBB. |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |