| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
P60NE06-16 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
P60NE06-16 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - STMicroelectronics |
|
3 / 9 page ![]() ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued) SWITCHING ON Symb ol Parameter Test Cond ition s Mi n. Typ . Max. Un it td(on) tr Turn-on T ime Rise Time VDD =30 V ID =30 A RG =4.7 W VGS =10 V 40 125 60 180 ns ns Qg Qgs Qgd Total Gat e Charge Gate-Source Charge Gate-Drain Charge VDD =48 V ID =60 A VGS = 10 V 115 25 40 160 nC nC nC SWITCHING OFF Symb ol Parameter Test Cond ition s Mi n. Typ . Max. Un it tr(Voff) tf tc Of f-voltage Rise Time Fall T ime Cross-over T ime VDD =48 V ID =60 A RG =4.7 Ω VGS =10 V 15 150 180 25 210 260 ns ns ns SOURCE DRAIN DIODE Symb ol Parameter Test Cond ition s Mi n. Typ . Max. Un it ISD ISDM ( •) Source-drain Current Source-drain Current (pulsed) 60 240 A A VSD ( ∗)Forward On Voltage ISD =60 A VGS =0 1.5 V trr Qrr IRRM Reverse Recovery Time Reverse Recovery Charge Reverse Recovery Current ISD = 60 A di/ dt = 100 A/ µs VDD =30 V Tj = 150 oC 100 0.4 8 ns µC A ( ∗) Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 % ( •) Pulse width limited by safe operating area Safe Operating Area for TO-220 Safe Operating Area for TO-220FP STP60NE06-16/FP 3/9 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |