| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
T1235H6G bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
T1235H6G bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
|
5 / 10 page ![]() T1235H, T1250H Series Characteristics 5/10 Figure 9. Relative variation of critical rate of decrease of main current (dI/dt)c versus reapplied (dV/dt)c (typical values) Figure 10. Relative variation of critical rate of decrease of main current versus junction temperature Figure 11. Leakage current versus junction temperature for different values of blocking voltage (typical values) Figure 12. Variation of thermal resistance junction to ambient versus copper surface under tab (Epoxy printed circuit board FR4, copper thickness = 35 µm) 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.1 1.0 10.0 100.0 (dI/dt) c [(dV/dt) c ] / Specified (dI/dt)c (dV/dt)C (V/µs) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 25 50 75 100 125 150 (dI/dt) c [Tj]/ (dI/dt)c [Tj=150°C] Tj(°C) 1.E-01 1.E+00 1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04 50 75 100 125 150 I DRM/IRRM(µA) V DRM=VRRM=400 V V DRM=VRRM=400 V V DRM=VRRM=600 V V DRM=VRRM=600 V V DRM=VRRM=200 V V DRM=VRRM=200 V Tj(°C) 0 10 20 30 40 50 60 70 80 0 5 10 15 20 25 30 35 40 R th(j-a)(°C/W) D²PAK SCU(cm²) |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |