| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STN2NE06 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STN2NE06 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - STMicroelectronics |
|
3 / 8 page ![]() ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued) SWITCHING ON Symbo l Parameter Test Con ditions Min. Typ. Max. Unit td(on) tr Turn-on Time Rise Time VDD =30 V ID =1 A RG =4.7 Ω VGS =10 V 9 10 13 13. 5 ns ns Qg Q gs Qgd Tot al G ate Charge Gat e-Source Charge Gat e-Drain Charge VDD =40 V ID =2 A VGS =10 V 12 5.1 2.7 17 7 4 nC nC nC SWITCHING OFF Symbo l Parameter Test Con ditions Min. Typ. Max. Unit tr(Voff) tf tc Off -volt age Rise T ime Fall T ime Cross-over Time VDD =48 V ID =2 A RG =4.7 Ω VGS =10 V 4.5 5 12 6 7 16 ns ns ns SOURCE DRAIN DIODE Symbo l Parameter Test Con ditions Min. Typ. Max. Unit ISD ISDM ( •) Source-drain Current Source-drain Current (pulsed) 2 8 A A VSD ( ∗)Forward On Voltage ISD =2 A VGS =0 1. 2 V trr Qrr IRRM Reverse Recovery Time Reverse Recovery Charge Reverse Recovery Current ISD = 2 A di/ dt = 100 A/ µs VDD =30 V Tj =150 oC 40 50 2.5 ns nC Α ( ∗) Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 % ( •) Pulse width limited by safe operating area Safe Operating Area Thermal Impedance STN2NE06 3/8 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |