| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STP85NF55 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STP85NF55 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - STMicroelectronics |
|
2 / 10 page ![]() STB85NF55/STP85NF55 2/10 THERMAL DATA ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25 °C unless otherwise specified) OFF ON (*) DYNAMIC Rthj-case Rthj-amb Tl Thermal Resistance Junction-case Thermal Resistance Junction-ambient Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose Max Max 0.5 62.5 300 °C/W °C/W °C Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit V(BR)DSS Drain-source Breakdown Voltage ID = 250 µA, VGS = 0 55 V IDSS Zero Gate Voltage Drain Current (VGS = 0) VDS = Max Rating VDS = Max Rating TC = 125°C 1 10 µA µA IGSS Gate-body Leakage Current (VDS = 0) VGS = ± 20V ±100 nA Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS = VGS ID = 250 µA 23 4 V RDS(on) Static Drain-source On Resistance VGS = 10 V ID =40 A 0.0062 0.008 Ω Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit gfs (*) Forward Transconductance VDS = 15V ID = 40 A 120 S Ciss Coss Crss Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance VDS = 25V f = 1 MHz VGS = 0 3700 900 310 pF pF pF |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |