| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STB200N4F3 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STB200N4F3 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
|
5 / 14 page ![]() STB200N4F3 - STP200N4F3 Electrical characteristics 5/14 Table 6. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min Typ Max Unit td(on) tr Turn-on delay time Rise time VDD=20 V, ID=60A, RG=4.7Ω, VGS=10V (see Figure 13) 19 180 ns ns td(off) tf Off-voltage rise time Fall time VDD=20 V, ID=60A, RG=4.7Ω, VGS=10V (see Figure 13) 90 65 ns ns Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min Typ Max Unit ISD ISDM Source-drain current Source-drain current (pulsed) 120 480 A A VSD Forward on voltage ISD=120A, VGS=0 1.5 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD=120A, di/dt = 100A/µs, VDD=20 V, Tj=150°C (see Figure 18) 67 130 4 ns nC A |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |