| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
ISCF80133 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ISCF80133 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() ISCF80133 eq SCT30N120 SiC N-Channel MOSFET www.iscsemi.com 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0V, ID= 0.1mA 1200 -- -- V VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS = VGS, ID = 1mA 1.8 3.5 -- V RDS(on) Drain-Source On-stage Resistance VGS= 20V, ID= 20A -- -- 100 mΩ IGSS Gate Source Leakage Current VGS= -10/+20V, VDS= 0V -- -- ± 100 nA IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS = 1200V, VGS = 0V -- -- 25 uA VSD Diode Forward Voltage ISD= 10A, VGS= -5V -- 3.5 -- V PACKAGE OUTLINE (UNIT: mm) |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |