công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử
  Vietnamese  ▼
ALLDATASHEET.VN

X  

IRFP064B bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

tên linh kiện IRFP064B
Giải thích chi tiết về linh kiện  isc N-Channel MOSFET Transistor
PDF  7 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
nhà sản xuất  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
Trang chủ  http://www.iscsemi.cn
Logo ISC - Inchange Semiconductor Company Limited

IRFP064B bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

  IRFP064B Datasheet HTML 1Page - Inchange Semiconductor Company Limited IRFP064B Datasheet HTML 2Page - Inchange Semiconductor Company Limited IRFP064B Datasheet HTML 3Page - Inchange Semiconductor Company Limited IRFP064B Datasheet HTML 4Page - Inchange Semiconductor Company Limited IRFP064B Datasheet HTML 5Page - Inchange Semiconductor Company Limited IRFP064B Datasheet HTML 6Page - Inchange Semiconductor Company Limited IRFP064B Datasheet HTML 7Page - Inchange Semiconductor Company Limited  
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 2 / 7 page
background image
isc N-Channel MOSFET Transistor
IRFP064B
isc website:www.iscsemi.com
isc & iscsemi is registered trademark
2023-11-09
2
ELECTRICAL CHARACTERISTIC (TC=25℃ UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP.
MAX
UNIT
V(BR)DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
VGS= 0; ID= 0.25mA
60
--
--
V
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VDS= VGS; ID= 0.25mA
2
--
4
V
RDS(on)
Drain-Source On-Resistance
VGS= 10V; ID= 70A
--
5
9
mΩ
IGSS
Gate-Body Leakage Current
VGS= ±20V; VDS= 0
--
--
±
100
nA
IDSS
Zero Gate Voltage Drain Current
VDS=60V; VGS= 0
--
--
1
uA
Dynamic Characteristics
Ciss
Input Capacitance
VGS = 0V,
VDS = 33V,
f = 1.0MHz
--
5946
--
pF
Coss
Output Capacitance
--
1517
--
Crss
Reverse Transfer Capacitance
--
2319
--
Qg
Total Gate Charge
VDD = 33V,
ID = 80A,
VGS = 10V
--
385
--
nC
Qgs
Gate-Source Charge
--
31
--
Qgd
Gate-Drain Charge
--
223
--
td(on)
Turn-on Delay Time
VDD = 33V,
ID = 80A,
RG = 2.5Ω
--
49
--
nS
tr
Turn-on Rise Time
--
156
--
td(off)
Turn-off Delay Time
--
150
--
tf
Turn-off Fall Time
--
107
--
Drain-Source Body Diode Characteristics
VSD
Forward On-Voltage
IS= 80A; VGS= 0
--
--
1.2
V
trr
Reverse Recovery Time
VGS = 0V,IF = 80A,
diF/dt = 100A /μs
--
240
--
nS
Qrr
Reverse Recovery Charge
--
659
--
nC



Html Pages

1 2 3 4 5 6 7


bảng dữ liệu tải về

Go To PDF Page


Link URL



Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không?  [ DONATE ] 

Alldatasheet là   |   Quảng cáo   |   Liên lạc với chúng tôi   |   Chính sách bảo mật   |   Liên kết đến bảng dữ liệu    |   Trao đổi link   |   Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com