| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STFW3N170 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STFW3N170 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 3 page ![]() isc N-Channel MOSFET Transistor STFW3N170 www.iscsemi.com 1 FEATURES · Drain Source Voltage : VDSS= 1700V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 13Ω(Max) · 100% avalanche tested DESCRIPTION · Switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25℃) THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage 1700 V VGS Gate-Source Voltage-Continuous ± 30 V ID Drain Current-Continuous 2.6 A IDM Drain Current-Single Pulse 10.4 A PD Total Dissipation 63 W TJ Max. Operating Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~150 ℃ VISO Insulation withstand voltage (RMS) from all three leads to external heat sink (t = 1s;TC = 25℃) 3.5 kV SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case 2.0 ℃ /W |
Số phần tương tự - STFW3N170 |
|
Mô tả tương tự - STFW3N170 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |