| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
APD03N60AI bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - A POWER MICROELECTRONICS |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
APD03N60AI bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - A POWER MICROELECTRONICS |
|
1 / 7 page ![]() APD03N60AI 600V N-Channel Depletion Mode MOSFET APD03N60AI RVE1.0 臺灣永源微電子科技有限公司 Description The APD03N60AI uses advanced Depletion planar technology This have low gate charge and operation . This device is suitable for use as a Switching applic ation. General Features VDS = 600V ID =0.03A RDS(ON) < 700 Ω @ VGS=10V ESD≥300V Application Load Switch PWM Application Power management Package Marking and Ordering Information Product ID Pack Marking Qty(PCS) APD03N60AI F501D 3000 Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Symbol Parameter Max. Units VDSS Drain-Source Voltage 600 V VGSS Gate-Source Voltage ±20 V ID Continuous Drain CurrentTA = 25℃ 0.03 A Continuous Drain CurrentTA = 100℃ 0.02 A IDM Pulsed Drain Current note1 0.12 A dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt 5.0 V/ns VESD(G-S) Gate source ESD (HBM- C= 100pF, R=1.5kΩ) 300 V PD Power Dissipation TA = 25℃ 0.5 W RθJA Thermal Resistance, Junction to Ambient 250 ℃/W TJ, TSTG Operating and Storage Temperature Range -55 to +150 ℃ SOT-23 |
Số phần tương tự - APD03N60AI |
|
Mô tả tương tự - APD03N60AI |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |