| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
AP3400AI bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - A POWER MICROELECTRONICS |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AP3400AI bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - A POWER MICROELECTRONICS |
|
1 / 7 page ![]() AP3400AI 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET AP3400AI REV3.2 永源微電子科技有限公司 Description The AP3400AI uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features VDS = 30V ID =6.2A RDS(ON) <28mΩ @ VGS=10V (Type:20mΩ) Application Lithium battery protection Wireless impact Mobile phone fast charging Package Marking and Ordering Information Product ID Pack Marking Qty(PCS) AP3400AI SOT23L A09T 3000 Absolute Maximum Ratings (TC=25 ℃unless otherwise noted) Symbol Parameter Rating Units VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage ±12 V ID@TA=25℃ Continuous Drain Current 6.2 A ID@TA=70℃ Continuous Drain Current 4.9 A IDM Pulsed Drain Current2 20 A PD@TA=25℃ Total Power Dissipation3 1 W TSTG Storage Temperature Range -55 to 150 ℃ TJ Operating Junction Temperature Range -55 to 150 ℃ RθJA Thermal Resistance Junction-ambient 1 125 ℃/W |
Số phần tương tự - AP3400AI |
|
Mô tả tương tự - AP3400AI |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |