| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
AP3205P bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - A POWER MICROELECTRONICS |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AP3205P bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - A POWER MICROELECTRONICS |
|
1 / 8 page ![]() AP3205P 55V N-Channel Enhancement Mode MOSFET AP3205P Rve1.0 臺灣永源微電子科技有限公司 Description The AP3205P is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. General Features VDS =55V,ID=110A RDS(ON) <8.0m Ω@ VGS=10V Application Uninterruptible Power Supply(UPS) Power Factor Correction (PFC) Package Marking and Ordering Information Product ID Pack Marking Qty(PCS) AP3205P TO-220-3L AP3205P XXX YYYY 1000 Absolute Maximum Ratings (TC=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Max. Units VDSS Drain-Source Voltage 55 V VGSS Gate-Source Voltage ±20 V ID Continuous Drain Current TC = 25℃ 110 A TC = 100℃ 80 A IDM Pulsed Drain Current note1 390 A PD Power Dissipation TC = 25℃ 200 W RθJC Thermal Resistance, Junction to Case 0.75 ℃/W TJ, TSTG Operating and Storage Temperature Range -55 to +175 ℃ |
Số phần tương tự - AP3205P |
|
Mô tả tương tự - AP3205P |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |