| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
F2HNK60Z bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
F2HNK60Z bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
|
5 / 16 page ![]() STD2HNK60Z/-1 - STF2HNK60Z - STQ2HNK60ZR-AP Electrical characteristics 5/16 Table 6. Switching times Symbol Parameter Test Condictions Min. Typ. Max. Unit td(on) tr Turn-on Delay Time Rise Time VDD=300V, ID=1.0A, RG=4.7Ω, VGS=10V (see Figure 17) 10 30 ns ns td(off) tf Turn-off Delay Time Fall Time VDD=300V, ID=1.0A, RG=4.7Ω, VGS=10V (see Figure 17) 23 50 ns ns Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test Condictions Min. Typ. Max. Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain Current Source-drain Current (pulsed) 2.0 8.0 A A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration=300µs, duty cycle 1.5% Forward on Voltage ISD=2.0A, VGS=0 1.3 V trr Qrr IRRM Reverse Recovery Time Reverse Recovery Charge Reverse Recovery Current ISD=2.0A, di/dt = 100A/µs, VDD=20 V, Tj=25°C 178 445 5 ns nC A trr Qrr IRRM Reverse Recovery Time Reverse Recovery Charge Reverse Recovery Current ISD=2.0A, di/dt = 100A/µs, VDD=20 V, Tj=150°C 200 500 5 ns nC A |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |