| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
AP5N10DF bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - A POWER MICROELECTRONICS |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AP5N10DF bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - A POWER MICROELECTRONICS |
|
1 / 7 page ![]() AP5N10DF 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET AP5N10DF Rve3.8 臺灣永源微電子科技有限公司 Description The AP5N10DF uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features VDS = 100V ID = 5A RDS(ON) < 140mΩ @ VGS=10V Application Battery protection Load switch Uninterruptible power supply Package Marking and Ordering Information Product ID Pack Marking Qty(PCS) AP5N10DF AP5N10DF 5000 Absolute Maximum Ratings at Tj=25℃ unless otherwise noted Parameter Symbol Value Unit Drain source voltage VDS 100 V Gate source voltage VGS ±20 V Continuous drain current1), TC=25 ℃ ID 5 A Pulsed drain current2), TC=25 ℃ ID, pulse 15 A Power dissipation3), TC=25 ℃ PD 17 W Single pulsed avalanche energy5) EAS 1.2 mJ Operation and storage temperature Tstg,Tj -55 to 150 ℃ Thermal resistance, junction-case RθJC 7.4 ℃/W Thermal resistance, junction-ambient4) RθJA 62 ℃/W P DFN3*3-8L |
Số phần tương tự - AP5N10DF |
|
Mô tả tương tự - AP5N10DF |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |