| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
AP4N80FP bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - A POWER MICROELECTRONICS |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AP4N80FP bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - A POWER MICROELECTRONICS |
|
4 / 6 page ![]() AP4N80FIP 800V N-Plance Enhancement Mode MOSFET AP4N80F/P Rve3.8 臺灣永源微電子科技有限公司 0.37Ω Fig 7. Gate Charge Characteristics Fig 8. Typical Capacitance Characteristics Fig 9. Maximum Safe Operating Area Fig10. Effective Transient Thermal Impedance Fig 11. Total Power Dissipation Fig 12. Normalized BVDSS v.s. Junction Temperature 0 400 800 1200 1600 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 V DS , Drain-to-Source Voltage (V) f=1.0MHz C iss C oss C rss 0 2 4 6 8 10 12 0 8 16 24 32 Q G , Total Gate Charge (nC) I D =4A V DS =640V 0.001 0.01 0.1 1 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 t , Pulse Width (s) PDM Duty factor = t/T Peak Tj = PDM x Rthjc + TC t T 0.02 0.01 0.05 0.1 0.2 Duty factor=0.5 Single Pulse 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1 10 100 1000 V DS , Drain-to-Source Voltage (V) T C =25 o C Single Pulse 10us 100us 1ms 10ms 100ms DC 0 10 20 30 40 0 50 100 150 T C , Case Temperature ( o C ) Operation in this area limited by RDS(ON) 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2 -100 -50 0 50 100 150 T j , Junction Temperature ( o C) I D =1mA . |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |