| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SCT027TO65G3 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
SCT027TO65G3 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
|
4 / 15 page ![]() Table 7. Reverse SiC diode characteristics Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD(1) Continuous diode forward current TC = 25 °C - 60 A TC = 100 °C - 60 VSD Diode forward voltage ISD = 30 A, VGS = 0 V - 2.73 V trr Reverse recovery time ISD = 30 A, 1 kA/μs, VDD = 400 V - 15.4 ns Qrr Reverse recovery charge - 85.2 nC IRRM Reverse recovery current - 9.2 A 1. Limited by bonding wires. SCT027TO65G3 Electrical characteristics DS14846 - Rev 2 page 4/15 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |