| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
HST04S80F bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Guangdong Huixin Electronic Technology Co., Ltd. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
HST04S80F bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Guangdong Huixin Electronic Technology Co., Ltd. |
|
3 / 4 page ![]() FIG.1 Maximum power dissipation versus RMS on-state current FIG.2: RMS on-state current versus case temperature 0 1 2 3 4 5 6 7 8 0 1 2 3 4 5 P(W) IT(RMS)(A) 105℃ 0 1 2 3 4 5 0 25 50 75 100 125 IT(RMS)(A) TC(℃) FIG.3: Surge peak on-state current versus number of cycles FIG.4: On-state characteristics 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 1.E+0 1.E+1 1.E+2 1.E+3 1.E+4 1.E+5 ITSM(A) Numberofcycles Tc=25℃,tp=20ms,one cycle,sine 0.1 1 10 0 0.5 1 1.5 2 ITM(A) VTM(V) Tj=25℃typ Tj=25℃max Tj=125℃typ FIG.5: Non-repetitive surge peak on-state current for a sinusoidal pulse with width tp<20ms, and corresponding value of I2t (dI/dt<5 0A/μs) FIG.6: Relative variations of gate trigger current, holding current and latching current versus junction temperature dI/dt ITSM I2t 1 10 100 0.01 0.1 1 10 tp(ms) ITSM(A),I2t(A2s) 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 Tj(℃) IGT,IH,IL(Tj)/IGT,IH,IL(Tj=25℃) IGT(I/II)&IH IGT(III) IL 3 of 1 Page 1.0 Rev. huixin@hxkj.hk +86-769-22857832 huixin@hxkj.hk +86-769-22857832 Rev. 1.0 Page 3 of4 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |