| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
HS30H60T bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Guangdong Huixin Electronic Technology Co., Ltd. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
HS30H60T bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Guangdong Huixin Electronic Technology Co., Ltd. |
|
2 / 4 page ![]() Average gate power dissipation (Tj=150℃) PG(AV) 1 W Peak gate power PGM 10 W Peak pulse voltage (Tj=25℃; non-repetitive,off-state;FIG.7) Vpp 1.2 kV ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=25℃ unless otherwise specified) Symbol Test Condition Quadrant Value Unit IGT VD =12V RL =33Ω Ⅰ -Ⅱ-Ⅲ MAX. 50 mA VGT Ⅰ -Ⅱ-Ⅲ MAX. 1.3 V VGD VD =VDRM Tj =150℃ RL =3.3KΩ Ⅰ -Ⅱ-Ⅲ MIN. 0.15 V IL IG =1.2IGT Ⅰ -Ⅲ MAX. 80 mA Ⅱ 90 IH IT =500mA MAX. 60 mA dV/dt VD=400V Gate Open Tj =150℃ MIN. 2200 V/μs (dI/dt)c (dV/dt)c=20V/μs, Tj=150℃ MIN. 30 A/ms ton IG=80mA IA=400mA IR=40mA Tj=25℃ TYP. 15 μs toff 100 STATIC CHARACTERISTICS Symbol Parameter Value(MAX.) Unit VTM ITM =42A tp=380μs Tj=25℃ 1.5 V VTO Threshold voltage Tj=150℃ 0.7 V RD Dynamic resistance Tj=150℃ 16 mΩ IDRM VD =VDRM VR =VRRM Tj=25℃ 5 μA IRRM Tj=150℃ 5 mA THERMAL RESISTANCES Symbol Parameter Value Unit Rth(j-c) junction to case (AC) 1.45 ℃ /W Rth(j-a) junction to ambient (AC) 60 ℃ /W 3 of 1 Page 1.0 Rev. huixin@hxkj.hk +86-769-22857832 huixin@hxkj.hk +86-769-22857832 Rev. 1.0 Page 2 of4 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |