công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử
  Vietnamese  ▼
ALLDATASHEET.VN

X  

Preview PDF HTML

H4RN3DF bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Guangdong Huixin Electronic Technology Co., Ltd.

tên linh kiện H4RN3DF
Giải thích chi tiết về linh kiện  N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PDF  5 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
nhà sản xuất  HUIXIN [Guangdong Huixin Electronic Technology Co., Ltd.]
Trang chủ  http://www.hxkj.hk
Logo HUIXIN - Guangdong Huixin Electronic Technology Co., Ltd.

H4RN3DF bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Guangdong Huixin Electronic Technology Co., Ltd.

  H4RN3DF Datasheet HTML 1Page - Guangdong Huixin Electronic Technology Co., Ltd. H4RN3DF Datasheet HTML 2Page - Guangdong Huixin Electronic Technology Co., Ltd. H4RN3DF Datasheet HTML 3Page - Guangdong Huixin Electronic Technology Co., Ltd. H4RN3DF Datasheet HTML 4Page - Guangdong Huixin Electronic Technology Co., Ltd. H4RN3DF Datasheet HTML 5Page - Guangdong Huixin Electronic Technology Co., Ltd.  
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 2 / 5 page
background image
(
)
Electrical Characteristics T =25
unless otherwise specified
J
°C
Parameter
V
Unit
V(BR)DSS
VGS(th)
Ciss
Symbols
Drain-Source breakdown voltage
Gate threshold voltage
30
Typ.
Test Conditions
V
=0, I =250μA
G S
D
td(on)
tf
Max.
Min.
V
1.0
2.0
V
=V
, I =250μA
G S
D S
D
Gate-Source leakage current
V
=0, V
=±20V
D S
G S
nA
±100
55
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
865
430
pF
V
=0
G S
V
=15V
D S
f=1MHz
Turn-On delay time
Rise time
Turn-Of f delay time
Fall time
9.0
73
18
80
ns
V
=15V
D S
V
=10V
G S
R =0.75Ω
L
R
=3Ω
G E N
Total gate charge
Gate to source charge
(
)
Gate to drain Miller charge
17
3.8
3.2
nC
V
=15V
D S
V
=10V
G S
I =20A
D
μA
V
=30V, V
=0
D S
G S
1
Body Diode Characteristics
Parameter
Unit
VSD
Symbols
Diode Forward Voltage
Typ.
Test Conditions
V
=0, I =5A
G S
S
Max.
I =20Α
S
di/dt=100A/μs
ns
nC
14
Qrr
Reverse Recover Time
Reverse Recovery Charge
3
Min.
V
RDS(on)
Drain-Source on-state resistance
4.0
4.8
mΩ
V
=10V, I =20A
G S
D
IGSS
Gate resistance
RG
1.6
f = 1 MHZ, V
=V
=0
D S
G S
Ω
Coss
Crss
Qg
Qgs
Qgd
tr
td(off)
1.0
trr
5.2
6.4
mΩ
V
=4.5V, I =20A
G S
D
1.5
www.hxkj.hk
+86-769-23622090
huixin@hxkj.hk
Rev.02
Page 2 of 5
0.85
IDSS
Zero gate voltage drain current
μA
V
=30V, V
=0, T =125°C
D S
G S
J
100



Html Pages

1 2 3 4 5


bảng dữ liệu tải về

Go To PDF Page


Link URL



Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không?  [ DONATE ] 

Alldatasheet là   |   Quảng cáo   |   Liên lạc với chúng tôi   |   Chính sách bảo mật   |   Liên kết đến bảng dữ liệu    |   Trao đổi link   |   Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com