| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
FGH40T100SMD bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
FGH40T100SMD bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() ISG2280 eq FGH40T100SMD Field-Stop Trench IGBT www.iscsemi.com 2 THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case IGBT 0.45 ℃ /W Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case Diode 0.8 ℃ /W STATIC CHARACTERISTICS(TJ = 25 °C unless otherwise specified) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYPE MAX UNIT VCES Collector-Emitter Breakdown Voltage VGE=0, IC= 1mA 1000 -- -- V VGE(th) Gate-Emitter Threshold Voltage VGE= VCE, IC= 0.25mA 4.2 5.3 6.5 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 40A, VCE= 15V, TC=25℃ -- 1.9 2.3 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 40A, VCE= 15V, TC=125℃ -- 2.3 -- V ICES Zero Gate Voltage Collector Current VCE= 1000V, VGE=0 -- -- 1 mA IGES Gate-Emitter Leakage Current VGE=±20V, VCE=0 -- -- ± 500 nA REVERSE DIODE (FRED) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYPE MAX UNIT VF Diode Forward Voltage IF= 40A,TJ=25℃ -- 3.4 4.4 V IF= 40A,TJ= 175℃ -- 2.6 -- V |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |