| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STTH4R02SY bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STTH4R02SY bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - STMicroelectronics |
|
1 / 14 page ![]() April 2016 DocID17391 Rev 2 1/14 This is information on a product in full production. www.st.com STTH4R02-Y Automotive ultrafast recovery diode Datasheet - production data Features Very low conduction losses Negligible switching losses Low forward and reverse recovery times High junction temperature PPAP capable AEC-Q101 qualified Description This device uses ST's new 200 V planar Pt doping technology, and it is especially suited for switching mode base drive and transistor circuits. Packaged in SMB, SMC and DPAK, it is intended for use in low voltage, high frequency inverters, freewheeling and polarity protection in automotive applications. Table 1: Device summary Symbol Value IF(AV) 4 A VRRM 200 V Tj (max.) 175 °C VF (typ.) 0.76 V trr (typ.) 16 ns SMB K K A SMC A K A A DPAK K NC |
Số phần tương tự - STTH4R02SY |
|
Mô tả tương tự - STTH4R02SY |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |