| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
DA112S1 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
DA112S1 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - STMicroelectronics |
|
2 / 5 page ![]() Symbol Parameter Value Unit VRRM Repetitivepeak reverse voltage(for one single diode) 18 V IPP Repetitive peak forward current * 8/20 µs12 A P Power dissipation 0.73 W Tstg Tj Storage temperature range Maximum operating junction temperature - 55 to + 150 150 °C TL Maximum lead temperature for soldering during 10s. 260 °C * The surge is repeated after the device returns to ambient temperature ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb =25 °C) Symbol Parameter Value Unit Rth (j-a) Junction to ambient 170 °C/W THERMAL RESISTANCES Symbol Parameter Max. Unit VFP Peak forward voltage IPP = 12A, 8/20 µs DA108S1 DA112S1 9 12 V VF Forward voltage IF = 50 mA 1.2 V IR Reverse leakage current VR = 15V 2 µA ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb =25 °C) ® DA108S1 / DA112S1 2/5 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |