| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUH2M20AP bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BUH2M20AP bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - STMicroelectronics |
|
1 / 4 page ![]() BUH2M20AP HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTOR s EXTRA HIGH VOLTAGE CAPABILITY s LOW OUTPUT CAPACITANCE s CHARACTERIZED FOR LINEAR MODE OPERATION. APPLICATIONS: s DESIGNED SPECIFICALLY FOR DYNAMIC FOCUS IN CTV AND MONITOR. DESCRIPTION The BUH2M20AP is manufactured using Multiepitaxial Mesa technology for cost-effective high performance. ® INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM September 1998 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage (IE = 0) 2000 V VCEO Collector-Emitter Voltage (IB = 0) 1200 V VEBO Emitter-Base Voltage (IC = 0) 5 V IC Collector Current 30 mA ICM Collector Peak Current (tp < 5 ms) 40 mA Ptot Total Dissipation at Tc = 25 o C20 W Tstg Storage Temperature -65 to 150 oC Tj Max. Operating Junction Temperature 150 oC 1 2 3 TO-220 1/4 |
Số phần tương tự - BUH2M20AP |
|
Mô tả tương tự - BUH2M20AP |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |