| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
ISL73096RHX/SAMPLE bảng dữ liệu(PDF) 8 Page - Renesas Technology Corp |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ISL73096RHX/SAMPLE bảng dữ liệu(HTML) 8 Page - Renesas Technology Corp |
|
8 / 11 page ![]() ISL73096RH, ISL73127RH, ISL73128RH, ISL73096EH, ISL73127EH, ISL73128EH FN6475 Rev 4.00 Page 8 of 11 June 27, 2014 Die Characteristics DIE DIMENSIONS: 52.8 mils x 52.0 mils x 14 mils ±1 mil 1340µm x 1320µm x 355.6µm ±25.4µm INTERFACE MATERIALS: Glassivation: Type: Nitride Thickness: 4k Å 0.5kÅ Top Metallization: Type: Metal 1: AlCu (2%)/TiW Thickness: Metal 1: 8k Å ±0.5kÅ Type: Metal 2: AlCu (2%) Thickness: Metal 2: 16k Å ±0.8kÅ Substrate: UHF-1X Bonded Wafer, DI Backside Finish: Silicon ASSEMBLY RELATED INFORMATION: Substrate Potential: Floating ADDITIONAL INFORMATION: Worst Case Current Density: 3.04 x 105A/cm2 Transistor Count: 5 Metallization Mask Layout FIGURE 13. ISL73096RH, ISL73096EH FIGURE 14. ISL73127RH, ISL73127EH (1) Q1C (2) Q2C (3) Q2E (4) Q2B (5) NC (6) Q3C (7) Q3E (8) Q3B (9) Q4B (10) Q4E (11) Q4C (12) Q5C (13) Q5E (14) Q5B (15) Q1B (16) Q1E |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |