| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
JDV2S09FS bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Toshiba Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
JDV2S09FS bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Toshiba Semiconductor |
|
1 / 3 page ![]() JDV2S09FS 2004-02-09 1 TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type JDV2S09FS VCO for UHF band • High capacitance ratio: C1V/C4V = 2.1 (typ.) • Low series resistance: rs = 0.33 Ω (typ.) • This device is suitable for use in a small-size tuner. Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Rating Unit Reverse voltage VR 10 V Junction temperature Tj 150 °C Storage temperature range Tstg −55~150 °C Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ. Max Unit Reverse voltage VR IR = 1 µA 10 ⎯ ⎯ V Reverse current IR VR = 10 V ⎯ ⎯ 3 nA C1V VR = 1 V, f = 1 MHz 9.7 ⎯ 11.1 Capacitance C4V VR = 4 V, f = 1 MHz 4.45 ⎯ 5.45 pF Capacitance ratio C1V/C4V ⎯ 1.8 2.1 ⎯ ⎯ Series resistance rs VR = 1 V, f = 470 MHz ⎯ 0.33 0.45 Ω Note: Signal level when capacitance is measured. Vsig = 500 mVrms Marking Unit: mm JEDEC ― JEITA ― TOSHIBA 1-1L1A Weight: 0.0006 g (typ.) B 0.2 0.1±0.05 0.6±0.05 A 0.48+0.02 -0.03 ±0.05 A M 0.07 |
Số phần tương tự - JDV2S09FS |
|
Mô tả tương tự - JDV2S09FS |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |