 |
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
|
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
GD660HTX75P6SB bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - StarPower Europe AG |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
GD660HTX75P6SB bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - StarPower Europe AG |
|
|
1 / 10 page  GD660HTX75P6SB IGBT Module ©2019 STARPOWER Semiconductor Ltd. 11/9/2019 1/10 Preliminary STARPOWER SEMICONDUCTOR IGBT GD660HTX75P6SB 750V/660A 6 in one-package General Description STARPOWER IGBT Power Module provides ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as hybrid and electric vehicle. Features Low VCE(sat) Trench IGBT technology Low switching losses 6 μs short circuit capability VCE(sat) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 175 oC Low inductance case Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD Isolated copper baseplate using DBC technology Typical Applications Automotive application Hybrid and electric vehicle Inverter for motor drive Equivalent Circuit Schematic |
Số phần tương tự - GD660HTX75P6SB |
|
Mô tả tương tự - GD660HTX75P6SB |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Vietnamese ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
