| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
TPCP8601 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Toshiba Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
TPCP8601 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Toshiba Semiconductor |
|
2 / 5 page ![]() TPCP8601 2004-12-10 2 Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Test Condition Min Typ. Max Unit Collector cut-off current ICBO VCB = −20 V, IE = 0 ⎯ ⎯ −100 nA Emitter cut-off current IEBO VEB = −7 V, IC = 0 ⎯ ⎯ −100 nA Collector-base breakdown voltage V (BR) CBO IC = −1 mA, IB = 0 −20 ⎯ ⎯ V Collector-emitter breakdown voltage V (BR) CEO IC = −10 mA, IB = 0 −20 ⎯ ⎯ V hFE (1) VCE = −2 V, IC = −0.6 A 200 ⎯ 500 DC current gain hFE (2) VCE = −2 V, IC = −2.0 A 100 ⎯ ⎯ Collector-emitter saturation voltage VCE (sat) IC = −2 A, IB = −67 mA ⎯ ⎯ −0.19 V Base-emitter saturation voltage VBE (sat) IC = −2 A, IB = −67 mA ⎯ ⎯ −1.1 V Rise time tr ⎯ 72 ⎯ Storage time tstg ⎯ 170 ⎯ Switching time Fall time tf See Figure 3 circuit diagram VCC ∼− 12 V, RL = 6 Ω IB1 = −IB2 = −67 mA ⎯ 35 ⎯ ns Figure 3. Switching Time Test Circuit & Timing Chart Duty cycle <1% IB1 20μs IB2 IB1 IB2 Input Output VCC |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |