| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
60N75-TN3-R bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
60N75-TN3-R bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Unisonic Technologies |
|
3 / 8 page ![]() 60N75 Power MOSFET UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD 3 of 8 www.unisonic.com.tw QW-R502-112.A ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Cont.) PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS Diode Forward Voltage VSD IS = 48A, VGS = 0 V 1.4 V Continuous Source Current IS 75 Pulsed Source Current ISM 300 A Reverse Recovery Time tRR 90 ns Reverse Recovery Charge QRR IS = 48A, VGS = 0 V dIF / dt = 100 A/µs 300 µC Note 1. Repeativity rating: pulse width limited by junction temperature 2. L=0.24mH, IAS=48A, VDD = 50V, RG=20Ω, Starting TJ=25℃ 3. ISD≤48A, di/dt≤300A/µs, VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃ 4. Pulse Test: Pulse Width≤300µs, Duty Cycle≤2% 5. Essentially independent of operating temperature. |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |