| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
GD50MLX65F1S bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - StarPower Europe AG |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
GD50MLX65F1S bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - StarPower Europe AG |
|
5 / 11 page ![]() GD50MLX65F1S IGBT Module ©2018 STARPOWER Semiconductor Ltd. 10/18/2018 5/11 preliminary NTC Characteristics T C=25 oC unless otherwise noted Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit R25 Rated Resistance 22.0 k Ω ∆R/R Deviation of R100 TC=100 oC,R 100=1486.1 Ω -5 5 % P25 Power Dissipation 200 mW B25/50 B-value R2=R25exp[B25/50(1/T2- 1/(298.15K))] 4000 K Module Characteristics T C=25 oC unless otherwise noted Symbol Parameter Min. Typ. Max. Unit RthJC Junction-to-Case (per T1-T4 IGBT) Junction-to-Case (per D1-D4 Diode) Junction-to-Case (per D5,D6 Diode) 0.691 1.175 0.995 0.760 1.293 1.094 K/W RthCH Case-to-Heatsink (per T1-T4 IGBT) Case-to-Heatsink (per D1-D4 Diode) Case-to-Heatsink (per D5,D6 Diode) Case-to-Heatsink (per Module) 0.271 0.461 0.390 0.035 K/W M Mounting Torque, Screw M4 2.0 2.2 N.m G Weight of Module 26 g |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |