| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STF25NM60N bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STF25NM60N bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
|
5 / 18 page ![]() STB25NM60N/-1 - STF25NM60N - STP25NM60N - STW25NM60N Electrical characteristics 5/18 Table 6. Switching times Symbol Parameter Test condictions Min. Typ. Max. Unit td(on) tr td(off) tf Turn-on delay time Rise time Turn-off delay time Fall time VDD =300V, ID = 10A RG =4.7Ω VGS = 10V (see Figure 17) 24.5 18 94 24 ns ns ns ns Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test condictions Min Typ. Max Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current Source-drain current (pulsed) 20 80 A A VSD (2) 2. Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 % Forward on voltage ISD = 20A, VGS = 0 1.3 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 20A, di/dt = 100A/µs VDD = 100V, Tj = 25°C (see Figure 22) 427 7.2 33.6 ns µC A trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 20A, di/dt = 100A/µs VDD = 100V, Tj = 150°C (see Figure 22) 526 9.1 34.5 ns µC A |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |