| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2N2222A bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2N2222A bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() Silicon NPN Power Transistor 2N2222A www.iscsemi.com 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃ unless otherwise specified) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT BVCBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= 10uA; IB= 0 75 - - V BVCEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 10mA; IB= 0 50 - - V BVEBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 10uA; IC= 0 6 - - V ICBO Collector-Base Cutoff Current VCB= 60V; IE= 0 - - 10 nA ICEO Collector-Emitte Cutoff Current VCE= 50V; IE= 0 - - 50 nA IEBO Emitter-Base Cutoff Current VEB= 4V; IC= 0 - - 10 nA VCE(sat) Collector to Emitter Saturation Voltage IC=500mA,IB=50mA - - 1 V VBE(sat) Base to Emitter Saturation Voltage IC=500mA,IB=50mA - - 2 V hFE1 DC Current Gain IC= 0.1mA ; VCE= 10V 50 - - - hFE2 DC Current Gain IC= 10mA ; VCE= 10V 100 - - - hFE3 DC Current Gain IC= 150mA ; VCE= 10V 100 - 300 - hFE4 DC Current Gain IC= 500mA ; VCE= 10V 40 - - - |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |