| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
ADT8A80IS bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Advanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ADT8A80IS bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Advanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd |
|
2 / 6 page ![]() ADT8A60I/80I 2 / 6 www.advsemi.com Feb,2013 -Rev.3.01 ADV Electrical Characteristics ( Tj = 25°C unless otherwise specified ) Symbol Items Conditions ADT8A60I/80I Unit T S IDRM IRRM Peak Forward Reverse Blocking Current VDRM = VRRM, RGK = 1KΩ Tj = 25°C Max. 5 uA VDRM = VRRM, RGK = 1KΩ Tj = 125°C 2 mA VTM Peak On-State Voltage ITM = 20A, tp = 380 μs Max. 1.6 V VGD Non-Trigger Gate Voltage VD = VDRM RL = 3.3 kΩ RGK = 1KΩ Tj = 125°C Min. 0.2 V VGT Gate Trigger Voltage VD = 12V ,RL = 33Ω Max. 1.3 V IGT Gate Trigger Current Max. 0.2 15 mA IH Holding Current IT = 0.05A RGK = 1KΩ Max. 5 40 mA IL Latching Current IG = 1.2 IGT RGK = 1KΩ Max. 6 50 mA dV/dt Critical Rate of Rise of Off-State Voltage VD = 2/3VDRM gate open RGK = 1KΩ Tj = 125°C Min. 5 150 V/μs Rth(j-c) Junction to case Max. 1.3 °C/W Rth(j-a) Junction to ambient Max. 75 °C/W |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |