| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
ISC015N03LF2S bảng dữ liệu(PDF) 6 Page - Infineon Technologies AG |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ISC015N03LF2S bảng dữ liệu(HTML) 6 Page - Infineon Technologies AG |
|
6 / 14 page ![]() StrongIRFET™ 2 Power‑Transistor, 30 V ISC015N03LF2S Public Datasheet 6 Revision 1.1 https://www.infineon.com 2024‑11‑25 Table 6 Gate charge characteristics 7) Parameter Symbol Values Unit Note / Test condition Min. Typ. Max. Output charge Q ‑ 39 ‑ nC V =15 V, =0 V V See "Gate charge waveforms" for parameter definition 7) Defined by design. Not subject to production test. 8) Table 7 Reverse diode Parameter Symbol Values Unit Note / Test condition Min. Typ. Max. Diode continuous forward current I ‑ ‑ 122 A T =25 °C Diode pulse current I ‑ ‑ 856 A Diode forward voltage V ‑ 0.80 1.0 V V =0 V, =50 A, =25 °C I T Reverse recovery time t ‑ 18 ‑ ns V =15 V, =50 A, d /d =500 A/μs I i t Reverse recovery charge Q ‑ 54 ‑ nC oss DS GS S C S,pulse SD GS F j rr R F F rr |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |