| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
P2006AS bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Advanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
P2006AS bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Advanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd |
|
1 / 6 page ![]() P2006AS 1 / 4 www.advsemi.com Ver.0.10 ADV P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor PRODUCT SUMMARY Absolute Maximum Ratings ( TA = 25°C unless otherwise specified ) Symbol Parameter Ratings Unit Common Ratings VDSS Drain-Source Voltage -20 V VGSS Gate-Source Voltage ± 12 TJ Maximum Junction Temperature 155 °C TSTG Storage Temperature Range -55 to 175 °C IS Diode Continuous Forward Current TC=25°C -35 A Mounted on Large Heat Sink IDM 300μs Pulse Drain Current Tested⑴ TC=25°C -14 A ID Continuous Drain Current TC=25°C -35 A PD Maximum Power Dissipation TC=25°C 3.0 W Thermal Characteristics Symbol Parameter Ratings Unit RthJC Thermal resistance junction-case max 4.6 °C/W RthJA Thermal resistance junction-ambient max(PCB mounted ) ⑵ 40 °C/W 1. Pulse width limited by maximum junction temperature. 2. 1-in2 2oz Cu PCB board VDSS ID RDS(ON) (mΩ) -20V -35A 6mΩ SOP-8 S S S G D D D D |
Số phần tương tự - P2006AS |
|
Mô tả tương tự - P2006AS |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |