| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
ADS55A100HT bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Advanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ADS55A100HT bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Advanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd |
|
3 / 6 page ![]() ADS55A100H/120H 3 / 6 www.advsemi.com Feb,2013 -Rev.3.01 ADV FIG.2: Average on-state current VS Allowable case Temperature(Single phase half wave) FIG.3: Gate trigger current VS Junction temperature FIG.1: Maximum average power dissipation (Single phase half wave) FIG.4: Rated surge on-state current ( Non-Repetitive) FIG.5: On-state characteristics(Max) 0 50 100 150 200 250 IGT(Tj)/IGT(25°C) x 100(%) 150 125 100 75 50 25 -50 0 -25 100 101 102 103 4 3.5 3 2.5 2 1.5 1 0.5 (1) (2) (1)Tj=25°C Max (2)Tj=125°C Max Power Dissipation(W) 40 32 16 8 Power Dissipation(W) 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 24 θ=180° 360° θ 0 80 160 240 320 400 480 560 640 Surge On-State Current(A) 102 10 1 f=50Hz Tj=25°C Max 0 10 20 30 40 50 Average On-state Current(A) 150 120 90 60 30 0 360° θ θ=180° |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |