| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SCTW90N65 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
SCTW90N65 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() ISCF8079 eq SCTW90N65 SiC N-Channel MOSFET www.iscsemi.com 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0V, ID= 1.0mA 650 -- -- V IGSS Gate Source Leakage Current VGS= 25V, VDS= 0V -- -- 100 nA VGS= -10V, VDS= 0V -- -- -100 IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS = 650V, VGS = 0V -- -- 10 uA VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS = VGS, ID = 0.25mA 1.9 -- 5.0 V RDS(ON) Drain-Source On-stage Resistance VGS= 18V, ID= 50A -- -- 24 mΩ VSD Diode Forward Voltage ISD= 30A, VGS= 0V -- 2.5 -- V PACKAGE DIMENSIONS (UNIT: mm): |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |