| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
P4C164L bảng dữ liệu(PDF) 7 Page - Pyramid Semiconductor Corporation |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
P4C164L bảng dữ liệu(HTML) 7 Page - Pyramid Semiconductor Corporation |
|
7 / 11 page ![]() P4C164L Page 7 of 11 Document # SRAM116 REV B DATA RETENTION CHARACTERISTICS Typ.* Max Symbol Parameter Test Condition Min V CC=VCC= Unit 2.0V 3.0V 2.0V 3.0V V DR V CC for Data Retention 2.0 V I CCDR Data Retention Current 1 1 3 3 µA t CDR Chip Deselect to 0 ns Data Retention Time t R † Operation Recovery Time t RC § ns *T A = +25°C §t RC = Read Cycle Time †This parameter is guaranteed but not tested. DATA RETENTION WAVEFORM CE 1 ≥ VCC – 0.2V or CE 2 ≤ 0.2V, VIN ≥ VCC – 0.2V or V IN ≤ 0.2V |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |