GI4672 datasheet(1/2 Pages) GTM

tên linh kiện	GI4672

Giải thích chi tiết về linh kiện	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

PDF	2 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	GTM [GTM CORPORATION]

Trang chủ	http://www.gtm.com.tw

Logo

1 / 2 page

G

I4672

Page: 1/2

ISSUED DATE :2005/07/15

REVISED DATE :

G

II44667722

N

N P

P N

N E

E P

P II T

T A

A X

X II A

A L

L S

S II L

L II C

C O

O N

N T

T R

R A

A N

N S

S II S

S T

T O

O R

R

Description

The G

I4672 is designed for low frequency amplifier applications.

Features

&Low saturation voltage, typically VCE(sat) =0.1V at IC/IB=1A/50mA

&

Excellent DC current gain characteristics

Package Dimensions

Millimeter

REF.

Min.

Max.

REF.

Min.

Max.

A

6.40

6.80

G

0.50

0.70

B

5.20

5.50

H

2.20

2.40

C

6.80

7.20

J

0.45

0.55

D

7.20

7.80

K

0.45

0.60

E

2.30 REF.

L

0.90

1.50

F

0.60

0.90

M

5.40

5.80

Absolute Maximum Ratings (TA=25 )

::::

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Collector to Base Voltage

VCBO

60

V

Collector to Emitter Voltage

VCEO

50

V

Emitter to Base Voltage

VEBO

6

V

Collector Current (DC)

IC

2

A

Collector Current (Pulse PW=10ms)

IC

5

A

Total Device Dissipation (TA=25 )

:

PD

1.5

W

Total Device Dissipation (TC=25 )

:

PD

10

W

Junction Temperature

TJ

150

:

Storage Temperature

Tstg

-55 ~ +150

:

Electrical Characteristics (TA = 25 : unless otherwise noted)

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

BVCBO

60

-

V

IC=50uA, IE=0

BVCEO

50

-

V

IC=1mA, IB=0

BVEBO

6

-

V

IE=50uA, IC=0

ICBO

-

100

nA

VCB=60V, IE=0

IEBO

-

100

nA

VEB=5V, IC=0

*VCE(sat)

-

0.1

0.35

V

IC=1A, IB=50mA

*hFE

120

-

400

VCE=2V, IC=500mA

fT

-

210

-

MHz

VCE=2V, IE=500mA, f=100MHz

Cob

-

25

-

pF

VCB=10V, IE=0, f=1MHz

*Pulse Test: Pulse Width 380 s, Duty Cycle 2%

Classification Of hFE

Rank

A

B

Range

120 ~ 240

200 ~ 400

TO-251

Số phần tương tự - GI4672

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
E-Tech Electronics LTD	GI4672	163Kb / 2P	N P N E P I T A X I A L S I L I C O N T R A N S I S T O R

More results

Mô tả tương tự - GI4672

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Samsung semiconductor	2N6516	35Kb / 1P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
	BCW33	27Kb / 1P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
	BCW60B	34Kb / 1P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
	BCX70G	34Kb / 1P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Fairchild Semiconductor	BC237	45Kb / 4P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
	BC846	68Kb / 3P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
	FJN3301R	69Kb / 4P	NPN Epitaxial Silicon Transistor
	FJN3307R	37Kb / 4P	NPN Epitaxial Silicon Transistor
	FJN3308R	36Kb / 4P	NPN Epitaxial Silicon Transistor
	FJNS3201R	69Kb / 4P	NPN Epitaxial Silicon Transistor

More results

GI4672 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - GTM CORPORATION

GI4672 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - GTM CORPORATION

Số phần tương tự - GI4672

Mô tả tương tự - GI4672

Html Pages

1 2

bảng dữ liệu tải về

Link URL