| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MG120R080 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
MG120R080 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. |
|
4 / 9 page ![]() R MG120R080 版本: 202404A 4/9 漏-源二极管特性 Drain-Source Diode Characteristics 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 典型 Typ 最大 Max 单位 Units 正向压降 Drain-Source Diode Forward Voltage VSD VGS =-5V, ISD =10 A, TJ = 25 °C 3.5 V VGS =-5V, ISD =10 A, TJ = 175 °C 3.3 V 正向最大连续电流 Maximum Continuous Drain - Source Diode Forward Current IS TC=25 °C - 28 A 反向恢复时间 Reverse recovery time trr VGS =-5V, ISD = 20 A, VR=800V, dif/dt=1200A/μs 18 ns 反向恢复电荷 Reverse recovery charge Qrr 80 nC 峰值反向恢复电流 Peak Reverse Recovery Current Irrm 8 A 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 号 Symbol 典型 Typ 单位 Unit 结到管壳的热阻 Thermal Resistance, Junction to Case Rth(j-c) 0.75 ℃/W 结到环境的热阻 Thermal Resistance, Junction to Ambient Rth(j-A) 35 ℃/W |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |