| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
TDA8512 bảng dữ liệu(PDF) 18 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
TDA8512 bảng dữ liệu(HTML) 18 Page - NXP Semiconductors |
|
18 / 24 page ![]() 2001 Nov 16 18 Philips Semiconductors Preliminary specification 26 W BTL and 2 × 13 W SE or 4 × 13 W SE power amplifier TDA8512J handbook, halfpage MGW437 Po (W) 10−2 10−1 110 102 THD (%) 10 1 10−1 10−2 (1) (2) (3) Fig.21 THD as a function of output power at RL =4 Ω. BTL mode. (1) fi = 10 kHz. (2) fi = 1 kHz. (3) fi = 100 Hz. handbook, halfpage MGW438 10−2 10−1 110 102 THD (%) 10 1 10−1 10−2 fi (kHz) Fig.22 THD as a function of frequency; no bandpass applied. BTL mode. Po = 1 W; RL =4 Ω. handbook, halfpage MGW439 SVRR (dB) −60 −80 −40 −20 0 10−2 10−1 110 102 (1) (2) fi (kHz) Fig.23 SVRR as a function of frequency at VREF = 1 V; no bandpass applied. BTL mode. (1) Operating. (2) Mute. handbook, halfpage Po (W) 5 101520 VP (V) 40 30 10 0 20 MGW440 (1) (2) (3) (4) Fig.24 Output power as a function of supply voltage. BTL mode. (1) RL =4 Ω; THD = 10%. (2) RL =4 Ω; THD = 0.5%. (3) RL =8 Ω; THD = 10%. (4) RL =8 Ω; THD = 0.5%. |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |