| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MS1226 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Advanced Power Technology |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
MS1226 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Advanced Power Technology |
|
1 / 3 page ![]() 053-7055 Rev - 10-2002 MS1226 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS DESCRIPTION: DESCRIPTION: DESCRIPTION: DESCRIPTION: The MS1226 is a 28V epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for SSB communications. This device utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and reliability. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Paramete r Value U nit VCBO Co llector-base Voltage 65 V VCEO Co llector-emitter Voltage 36 V VEBO Emit ter-Base Voltage 4.0 V IC Dev ice Current 4.5 A PDISS Po wer Dissipation 80 W TJ Ju nction Temperature +200 C TSTG Storage Temperature -65 to +150 C Therma Therma Therma Thermal Data l Data l Data l Data RTH(J-C) Junction-case Thermal Resistance 2.2 C/W Features Features Features Features 30 MHz 28 VOLTS IMD = -28 dB POUT = 30 WATTS GP = 18 dB MINIMUM COMMON EMITTER CONFIGURATION |
Số phần tương tự - MS1226 |
|
Mô tả tương tự - MS1226 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |