| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
9N70L-TN3-R bảng dữ liệu(PDF) 7 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
9N70L-TN3-R bảng dữ liệu(HTML) 7 Page - Unisonic Technologies |
|
7 / 8 page ![]() 9N70-TD2 Power MOSFET UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7 of 8 www.unisonic.com.tw QW-R205-579.A TYPICAL CHARACTERISTICS (Cont.) Gate Threshold Voltage vs. Junction Temperature Junction Temperature, TJ (°C) Source Current vs. Source-Drain Voltage Source-Drain Voltage, VSD (V) Drain Current vs. Gate-Source Voltage Gate-Source Voltage, VGS (V) Drain Current, ID (A) 25°C TA=150°C Drain-Source On-Resistance vs. Drain Current TA=25°C VGS=10V Pulsed TA=25°C Pulsed 0 2 4 6 10 8 ID=0.25mA Pulsed 10 0.1 1 Case Temperature, TC (°C) 75 100 150 125 50 25 Drain Current vs. Case Temperature 25 50 75 100 125 150 0.9 1.1 0.6 1 0.8 0.7 Power Dissipation vs. Junction Temperature Junction Temperature, TJ (°C) 0 25 50 75 100 125 150 TO-251 0.3 0.5 0.7 0.9 1.2 1 0.4 0.6 0.8 1.1 8 6 3 2 0 1 4 7 5 2 1 1.5 0 2 4 6 8 10 12 0 10 20 30 60 50 40 13.5 4.5 9 0 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |