| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
ISC055N15NM6 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Infineon Technologies AG |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ISC055N15NM6 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Infineon Technologies AG |
|
1 / 13 page ![]() Datasheet 1 Revision 2.0 https://www.infineon.com 2024‑04‑16 MOSFET OptiMOS™ 6 Power‑Transistor, 150 V Features Product validation Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications Table 1 Key Performance Parameters Parameter Value Unit V 150 V R 5.5 mΩ I 130 A Q 130 nC Q 43 nC Q (500 A/μs) 105 nC PG‑TDSON‑8 FL Type/Ordering Code Package Marking Related Links ISC055N15NM6 PG‑TDSON‑8 055N15N6 ‑ N‑channel, normal level • Very low on‑resistance R • DS(on) Superior thermal resistance • 100% avalanche tested • Pb‑free lead plating; RoHS compliant • Halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 • MSL 1 classified according to J‑STD‑020 • DS DS(on),max D oss G rr Public ISC055N15NM6 Final datasheet Pin 1 2 3 4 4 3 2 1 5 6 7 8 5 6 7 8 Drain Pin 5-8 Gate Pin 4 Source Pin 1-3 *1 *1: Internal body diode |
Số phần tương tự - ISC055N15NM6 |
|
Mô tả tương tự - ISC055N15NM6 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |