| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
16TTS12S bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
16TTS12S bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 3 page ![]() isc Thyristors 16TTS12S www.iscsemi.com 1 FEATURES · Glass passivated junctions · VDRM/VRRM :1200V APPLICATIONS · Typical applications are in input rectification (soft start) andthese products are designed to be used with Vishay HPPinput diodes, switches and output rectifiers which areavailable in identical package outlines ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER MIN UNIT VDRM Repetitive Peak Off-state Voltage 1200 V VRRM Repetitive Peak Reverse Voltage 1200 V IT(AV) On-state Current Tc=95℃ 10 A ITSM Surge Non-repetitive On-state Current , Tc=110℃ 200 A PG(AV) Average Gate Power 2.0 W di/dt Repetitive Rate of Rise of On-state Current after Triggering 150 A/us I2t I2t for fusing 10 ms sine pulse, rated VRRM applied 144 A2S 10 ms sine pulse, no voltage reapplied 200 IGM Peak Gate Current,TJ= 125℃ 1.5 A Tj Operating Junction Temperature -40 ~+125 ℃ Tstg Storage Temperature -40 ~+125 ℃ |
Số phần tương tự - 16TTS12S |
|
Mô tả tương tự - 16TTS12S |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |