| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
IRGP30B60KD bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IRGP30B60KD bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() ISG2105 eq IRGP30B60KD NPT IGBT www.iscsemi.com 1 DESCRIPTION · Low Diode VF · 10µs Short Circuit Capability · Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics APPLICATIONS · Low EMI · Rugged Transient Performance · Benchmark Efficiency for Motor Control ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCES Collector-Emitter Voltage 600 V VGES Gate-Emitter Voltage ± 30 V IC Collector Current-Continuous @ TC=25℃ 60 A IC Collector Current-Continuous @ TC=100℃ 30 A ICM Pulsed Collector Current 120 A IF Diode Forward Current @ TC=100℃ 30 A IFM Diode Maximum Forward Current 120 A PD Power Dissipation @TC=25℃ 304 W PD Power Dissipation @TC=100℃ 122 W Tj Operating Junction Temperature -55~150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case IGBT 0.41 ℃ /W Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case diode 1.32 ℃ /W |
Số phần tương tự - IRGP30B60KD |
|
Mô tả tương tự - IRGP30B60KD |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |