| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
RFD8P05SM bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - BYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
RFD8P05SM bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - BYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED |
|
1 / 4 page ![]() Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Limit Symbol Unit Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID - 20 A Pulsed Drain Current IDM -40 A Maximum Power Dissipation PD 45 W Operating Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG -55 To 175 ℃ Thermal Characteristic Thermal Resistance, Junction-to-Case (Note 2) RθJC 3.3 ℃ /W P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= -60V, ID= -20A RDS(ON) < 106mΩ @ VGS = -10V RDS(ON) < 135mΩ @ VGS = -4.5V ● Advanced Trench Technology ● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge ● Lead Free and Green Available 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! General Features www.bychip.cn Pin Assignment Schematic Diagram TO-252-2L Top View RFD8P05SM v1.0 |
Số phần tương tự - RFD8P05SM |
|
Mô tả tương tự - RFD8P05SM |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |