| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
FDN359B bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
FDN359B bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED |
|
3 / 6 page ![]() Electrical Characteristics T A = 25°C unless otherwise noted Symbol Parameter Test Conditions Min Typ Max Units Drain–Source Diode Characteristics and Maximum Ratings IS Maximum Continuous Drain–Source Diode Forward Current 0.42 A VSD Drain–Source Diode Forward Voltage VGS = 0 V, IS = 0.42 A (Note 2) 0.7 1.2 V trr Diode Reverse Recovery Time 12 20 ns Qrr Diode Reverse Recovery Charge IF = 2.7A, diF/dt = 100 A/µs 3 5 nC notes: 1. RθJA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of the drain pins. RθJC is guaranteed by design while RθCA is determined by the user's board design. a) 250 °C/W when mounted on a 0.02 in2 pad of 2 oz. copper. b) 270°C/W when mounted on a minimum pad. Scale 1 : 1 on letter size paper 2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0% Rev:2023A2 3 N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FDN359B |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |