| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
FDN304P bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
FDN304P bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED |
|
1 / 5 page ![]() 1 2 Gate Source Drain 3 FDN304P P-Channel MOSFET 1 2 3 ■ Simplified outline(SOT-23) 1. Gate 2. Source 3. Drain ■ Features ● ● ● ■ Applications ● ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃ 1 –2.4 A, –20 V. RDS(ON) = 0.052 Ω @ VGS = –4.5 V RDS(ON) = 0.070 Ω @ VGS = –2.5 V RDS(ON) = 0.100 Ω @ VGS = –1.8 V Fast switching speed High performance trench technology for extremely low RDS(ON) SuperSOT TM -3 provides low RDS(ON) and 30% higher power handling capability than SOT23 in the same footprint ● • Battery management • Load switch • Battery protection Symbol Parameter Ratings Units VDSS Drain-Source Voltage –20 V VGSS Gate-Source Voltage ±8 V ID Drain Current – Continuous (Note 1a) –2.4 A – Pulsed –10 Maximum Power Dissipation (Note 1a) 0.5 PD (Note 1b) 0.46 W TJ, TSTG Operating and Storage Junction Temperature Range -55 to +150 °C RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a) 250 °C/W RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Case (Note 1) 75 °C/W ■ Thermal Characteristics Rev:2022A2 |
Số phần tương tự - FDN304P |
|
Mô tả tương tự - FDN304P |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |