công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử
  Vietnamese  ▼
ALLDATASHEET.VN

X  

Preview PDF HTML

PHT4NQ10T bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors

tên linh kiện PHT4NQ10T
Giải thích chi tiết về linh kiện  N-channel enhancement mode field-effect transistor
PDF  13 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
nhà sản xuất  PHILIPS [NXP Semiconductors]
Trang chủ  http://www.nxp.com
Logo PHILIPS - NXP Semiconductors

PHT4NQ10T bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors

  PHT4NQ10T Datasheet HTML 1Page - NXP Semiconductors PHT4NQ10T Datasheet HTML 2Page - NXP Semiconductors PHT4NQ10T Datasheet HTML 3Page - NXP Semiconductors PHT4NQ10T Datasheet HTML 4Page - NXP Semiconductors PHT4NQ10T Datasheet HTML 5Page - NXP Semiconductors PHT4NQ10T Datasheet HTML 6Page - NXP Semiconductors PHT4NQ10T Datasheet HTML 7Page - NXP Semiconductors PHT4NQ10T Datasheet HTML 8Page - NXP Semiconductors PHT4NQ10T Datasheet HTML 9Page - NXP Semiconductors Next Button
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 3 / 13 page
background image
Philips Semiconductors
PHT4NQ10T
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product specification
Rev. 01 — 31 July 2000
3 of 13
9397 750 07337
© Philips Electronics N.V. 2000. All rights reserved.
VGS ≥ 10 V
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of solder point temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of solder point temperature.
Tsp =25 °C; IDM is single pulse.
Unclamped inductive load; VDD ≤ 15 V; RGS =50 Ω;
VGS = 10 V; starting Tj =25 °C and 125°C.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain
currents as a function of drain-source voltage.
Fig 4.
Non-repetitive avalanche ruggedness current
as a function of pulse duration.
03aa17
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
P
der
Tsp (
o
C)
(%)
03aa25
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
I
der
T
sp
(
o
C)
(%)
P
der
P
tot
P
tot 25 C
°
()
----------------------
100%
×
=
I
der
I
D
I
D25 C
°
()
-------------------
100%
×
=
03aa88
10-2
10-1
1
10
102
110
102
103
VDS (V)
ID
(A)
D.C.
100 ms
10 ms
RDSon =VDS/ID
1ms
tp =10 µs
100 µs
03aa97
10-1
1
10
10-2
10-1
110
tp (ms)
IAS
(A)
Tj prior to avalanche = 125oC
25oC



Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13


bảng dữ liệu tải về

Go To PDF Page


Link URL



Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không?  [ DONATE ] 

Alldatasheet là   |   Quảng cáo   |   Liên lạc với chúng tôi   |   Chính sách bảo mật   |   Liên kết đến bảng dữ liệu    |   Trao đổi link   |   Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com